DXB 880 Series Wafer-Bonder

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By DYNATEX

Supplier Info

Product Type:

Equipment


Application:

Bonding


Product Description:

Der DXB 880 verfügt über eine integrierte Prozesssteuerung, die den gesamten Wafer-Bonding-Prozess automatisiert. Zu den Hauptmerkmalen gehören die Ein-Knopf-Bedienung und die aktive Kühlung.

Die im DXB 880 eingeführte Automatisierung gewährleistet einen wiederholbaren, robusten Prozess. Der Benutzer kann jeden Prozessschritt einzeln und mit äußerster Präzision programmieren, während die neue Active Cooling-Technologie die Prozesslaufzeit erheblich verkürzt. Das System kann mit der gewünschten Temperatur, dem gewünschten Druck und der gewünschten Dauer für jeden Prozessschritt einer Sequenz programmiert werden. Das Display zeigt den aktuellen Prozessschritt an.

  • Der automatische Wafer Bonder DXB 880 wird zum Erstellen von blasenfreien Waferbonds
  • Die integrierte Prozesssteuerung automatisiert den gesamten Wafer-Bonding-Prozess.
  • Der DXB 880 verfügt über eine Ein-Tasten-Bedienung für einen vollautomatischen Prozess.
  • Die Zweikammertechnologie ermöglicht eine präzise Steuerung der Bondkraft.
  • Die aktive Kühlfunktion erwirkt eine schnellere Abkühlung und Aktivierung der Klebeverbindung
  • Beheizte Vakuumkammer mit 11,25″ Durchmesser.

Für kontrolliertere Verbindungsprozesse bietet die Zweikammerfunktion das Beste an Kontrolle, Präzision und Flexibilität. Die Bondkraft wird durch Einstellen des Differenzdrucks in den beiden Kammern mit äußerster Präzision gesteuert. Dies ermöglicht es dem Wafer, auf Temperatur zu kommen, ohne Luft in der Verbindungslinie einzuschließen. Sobald der Wafer die Temperatur erreicht hat, kann der Force Applicator durch Verringern des Lid-Vakuums abgesenkt werden. Die Differenz zwischen den beiden Drücken ergibt die resultierende Bondkraft.

DXB-880 Series Wafer Bonder Dual Chamber Operation


DXB 880 Serie DXB-880-01 DXB-880-02
Größe der Klebekammer 11″ (279 mm) Durchmesser 11″ (279 mm) Durchmesser
Temperaturbereich 100 – 356° F (40 – 180° C) 100 – 356° F (40 – 180° C)
Zykluszeitbereich 1 min – 10 h 1 min – 10 h
Elektrischer Anschluss 100/120 VAC 10 Ampere, 50/60 Hz 220/240 VAC 5 Ampere, 50/60 Hz
Vakuum erforderlich 18 – 25 inHg 18 – 25 inHg
Kühlmittel Wasser (12 Liter pro Minute, 40 PSI) Wasser (12 Liter pro Minute, 40 PSI)
Umgebung 15 – 27 ° C (60 – 80 ° F);
0 – 95% Luftfeuchtigkeit (nicht kondensierend)
15 – 27 ° C (60 – 80 ° F);
0 – 95% Luftfeuchtigkeit (nicht kondensierend)
Dimensionen Höhe: 26″ (200 mm);
Breite: 14,7″ (375 mm);
Tiefe: 21,2″ (440 mm);
Spannfutter: 11,25″ (285 mm)
Höhe: 26″ (200 mm);
Breite: 14,7″ (375 mm);
Tiefe: 21,2″ (440 mm);
Spannfutter: 11,25″ (285 mm)

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  • Wafer Thinning
  • Wafer Lapping
  • Metal Plating
  • Wafer Polishing
  • Wafer Dicing
  • Deep Reaction Ion Etch
  • Any other temporary wafer bonding process

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