By GNP
Supplier Info
Product Type:
Equipment
Application:
CMP, Nassprozesse
Product Description:
Halbautomatischer Einzelwafer-Reiniger
Das Zeus-Reinigungssystem ist ein Hochleistungs-Waferreiniger, der fünf Reinigungsprozesse nacheinander durchführt und vollständig anpassbar ist. Besonders effektiv bei der Partikelentfernung nach CMP, ermöglicht es die kontinuierliche Echtzeitanwendung aller Reinigungsschritte.
Das System unterstützt Wafergrößen von 20 mm x 20 mm Coupon-Wafern bis zu 300 mm Durchmesser in einer einzigen Einheit und macht mehrere Reinigungssysteme überflüssig. Nach der Reinigung werden die Wafer spin-getrocknet, wodurch eine sofortige Partikelinspektion möglich ist. Die Reinigung von Coupon-Wafern erlaubt eine schnelle Bewertung neuer Reinigungsmittel oder Prozesse mit AFM, ohne Full Scale Particle Counters zu benötigen.
Hauptmerkmale:
- Führt chemisches Sprühen, megasonisches Sprühen, Pad-Polieren, PVA-Bürstenreinigung und Spin-Trocknung durch.
- Jedes Modul kann unabhängig programmiert und die Reinigungsreihenfolge angepasst werden.
- Optimale Reinigungsleistung durch gleichzeitige Anwendung aller fünf Reinigungstechniken.
- Beseitigt die Notwendigkeit mehrerer Reinigungssysteme für unterschiedliche Wafergrößen.
- Ermöglicht eine sofortige Bewertung der Reinigungsleistung mittels Partikelinspektionsgeräten.
Bürstenreinigung
- Anpresskraft-Kontrolle: Max 10 kgf
- Wafer-Drehzahl: Max 3000 U/min
- Bürsten-Drehzahl-Kontrolle: Max 400 rpm
- Drehmomentüberwachung: Motor-Drehmomentüberwachung
- Arten von Reinigungsmitteln: Max 3 Lösungen
Stiftbürste oder Pad-Polieren
- Sweep-Frequenz:: Max 30 cpm
- Wafer-Drehzahl-Kontrolle: Max 3000 U/min
- Anpresskraft: Max 5 kgf
- Drehzahl-Kontrolle: Max 200 U/min
Megasonic-Reinigung
- Sweep-Frequenz: Max 30 cpm
- Megasonic-Frequenz: ~1 MHz
- Wafer-Drehzahl-Kontrolle: Max 3000 U/min
Chemische Spülreinigung
- Sweep-Frequenz: Max 30 cpm
- Durchfluss-Kontrolle: Max 1 liter/min
- Wafer-Drehzahl-Kontrolle: Max 3000 U/min
- Anzahl der Chemikalien: 2 Chemikalien
Spin-Trocknung
- Gebläse: N2-Luftstrom / Stickstoff-Trocknung
- Wafer-Drehzahl-Kontrolle: Max 3000 U/min, 5 Sek gem.
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