Product Type:
Equipment
Application:
CMP
Product Description:
Das Werkzeug G&P Technology POLI 500 wird zur Planarisierung von dielektrischen, leitenden und halbleitenden Dünnschichten auf Siliziumwafern und anderen Substratmaterialien eingesetzt. Dieses Polierwerkzeug ist eine ausgezeichnete Wahl für die Verarbeitung von 6″ (150mm) und 8″ (200mm) Wafern. Dieses Tool ist in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, je nach Kundenbedarf für den Trägertyp, die Pad-Konditionierungstechnologie, die Pad-Profiling-Fähigkeit sowie die Prozessmess- und Überwachungssteuerungssysteme. In der Tradition aller Werkzeuge und Geräte der G & P-Technologie ist das POLI-500 ein vielseitiges und flexibles Prozesswerkzeug, das bereits von F&E-Labors, universitären Forschungszentren, Verbrauchsmaterialienlieferanten, Substratherstellern und Chipentwicklern ausgewählt wurde.
- Kopf, Tisch : 30 x 200 Umdrehungen, Rotationsbewegung
- Kopfschwingung : 20mm
- Größe : 1100W 1150D 1880H mm
- Plattengröße: 508 mm (20 Zoll)
- Pressverfahren : Elektronischer Druckregler mit variablem Luftdruck
- Harter Trägertyp: 80 x 500 g/cm 2 (1psi-7psi) für 8″-Wafer
- Flexibler Membrantyp : 80 x 500 g/cm 2
- Prozess : Automatische Sequenz, Dry-in/Wet-out
Eigenschaften
- Werkstück : Max 8 Zoll Wafer, MEMS Struktur, Coupon Wafer
- CMP-Prozess : Si CMP, Oxide CMP(BPSG, TEOS, SC), Metal CMP(W, Cu), STI, G.G.A. usw.
Optionen
- Konditionierung : Oszillierender Kopftyp oder Schwenkarmtyp
- Doppelkopfsystem
- Reibungskraft & Temperaturüberwachungssystem
- Merkmale
- 200mm CMP Maschine für F&E
- Stabile Repeatablilty (WTWNU < 5)
- Hohe Steifigkeit
- Einfache, robuste und niedrige Betriebskosten
- Workpiece : Max 8 inch wafer, MEMS Structure, Coupon Wafer
- CMP Process : Si CMP, Oxide CMP(BPSG, TEOS, SC), Metal CMP(W, Cu), STI, PGI etc