Product Type:
Equipment
Application:
Trockenprozesse & UHP
Product Description:
Das DANDI 3100 CO2 Wafer Reinigungssystem von IMT ist eine fortschrittliche Lösung, die speziell für die Hochleistungsreinigung von HBM- (High Bandwidth Memory), 3D-Stack- oder MEMS-Wafern entwickelt wurde. Es entfernt effektiv feine Partikel, die beispielsweise beim DRAM-Wafer-Dicing-Prozess entstehen, und sorgt für saubere Oberflächen, die für den Speicherstapelprozess entscheidend sind.
Hauptmerkmale:
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Entfernung feinster Partikel:
Das DANDI 3100 entfernt selbst kleinste Partikel, die während des Wafer-Schneidprozesses entstehen. Dies reduziert Verunreinigungen und verbessert die Waferqualität
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Geringere Defektrate:
Durch die Optimierung des Reinigungsprozesses verringert das System Defekte, beispielsweise während des Speicherstapelprozesses, und sorgt so für eine höhere Gesamtleistung und Zuverlässigkeit.
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Schneller und effizienter Prozess:
DANDI 3100 bietet einen optimierten Trockenreinigungsprozess mit einer hohen Durchsatzrate von über 40 Wafern pro Stunde (wph) und ist damit ideal für die Großserienproduktion geeignet
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Benutzerfreundliche Bedienung:
Das intuitive Design ermöglicht eine einfache Integration in bestehende Produktionslinien und erfordert nur minimalen Bedienaufwand.
Das DANDI 3100 Wafer Reinigungssystem ist die ideale Lösung für Hersteller in der Halbleiterindustrie, die Qualität und Effizienz ihrer Produktionsprozesse verbessern möchten.
CO₂ Reinigungstechnologie
CO₂ Reinigungsmechanismus
- Physikalisches Strahlen
Trockeneispartikel werden durch Druckluft beschleunigt und prallen auf die Oberfläche. - Thermoschock
Die Sublimationswärme von -78,5 °C lässt Verunreinigungen schrumpfen und Risse entstehen. - Sublimationsausdehnung
Das Volumen erweitert sich um das 800-Fache und durchbricht die Grenzschicht. - Ablation
Der Luftdruck der hochgeschwindigkeitskomprimierten Luft entfernt Verunreinigungen.
Vorteile der CO₂-Reinigung
- Frei von Chemikalien und Wasser
- Kein zusätzlicher Trocknungsprozess erforderlich
- Minimale Sekundärabfälle nach der Reinigung
- Keine Oberflächenbeschädigungen
- Einfach zu automatisieren
Anwendungen in der Halbleiter- und MEMS-Fertigung:
- TSV (Through-Silicon Via)
- Entfernung von Partikeln auf MEMS-Wafern
- Reinigung von unbeschichteten Wafern mit Epoxidharz
- Entfernung von PR-Rückständen (Photoresist) oder organischen Verunreinigungen und Rückständen
- Reinigung von Bump-Wafern und Entfernung von Bondrückständen
- Reinigung von Glasträgern
- Reinigung der Wafer-Rückseite
- Entfernung von Verunreinigungen an den Waferkanten
- Reinigung von gerahmten Wafern nach dem Sägen