Celero™ PL System

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By ONTO INNOVATION (DACH, Benelux, North France)

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Product Type:

Metrology & Handling


Application:

Optische Inspektionssysteme


Product Description:

Das Celero™ PL System wurde entwickelt, um der wachsenden Nachfrage nach Inspektion und Klassifizierung von Defekten unter der Oberfläche bei Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid- (GaN) Wafern sowie anderen Halbleiter-Verbundwerkstoffen gerecht zu werden. Es nutzt eine laserbasierte Phasendetektions- und Bildgebungstechnologie, die spezielle Optik mit fortschrittlichen Bildverarbeitungsalgorithmen kombiniert, um eine branchenführende Durchsatzleistung und Empfindlichkeit bei geringsten Betriebskosten pro Inspektionszyklus zu gewährleisten.

Um sowohl F&E- als auch Hochvolumenproduktionen zu unterstützen, ist das System mit einer Vielzahl von Wafer-Handling-Optionen verfügbar und ermöglicht eine flexible Integration in verschiedene Fertigungsumgebungen. Durch den Einsatz mehrerer Lichtquellen und Sensor-Kanäle kann das System subsurface-kristalline Defekte in Bulk-Wafern und Epitaxieschichten präzise erkennen, messen und abbilden. Zusätzlich identifiziert es Oberflächenpartikel, Kratzer, Vertiefungen, Verunreinigungen, Flecken, lokale oder großflächige Waferbelastungen, Hohlräume und Einschlüsse – einschließlich Randabplatzungen und Rissen – und gewährleistet so eine umfassende Defektinspektion.

Manuelle oder vollautomatisierte offene Kassette oder EFEM für 100–300 mm Wafer.


  • Wafergrößen: 100–300 mm
  • Fünf Detektionskanäle: Photolumineszenz, Polarisation, Neigung, Hellfeld und Dunkelfeld
  • Vollflächiger Scan (Vorderseite/Rückseite/Kante) und Bildgebung mit sub-nanometer Empfindlichkeit
  • Partikeldefekte (≥90 nm PSL) / Oberflächenkontamination (≥5 Å)
  • Dünne (≥100 µm) und dicke (≤10 mm) Wafer
  • Verschiedene Handhabungsoptionen: Wafer, Film Frame
  • Mehrere Ladeoptionen: Manuell, automatisierte offene Kassette, EFEM
  • Online- und Offline-Überprüfungsmöglichkeit
  • Automatisierte, bildbasierte Defektklassifikation
  • Kompatibel mit dem Discover®-Ökosystem

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  • Defekte und Kontaminationen auf Vorderseite, Rückseite, Kante und unter der Oberfläche
  • AR/VR/MR-Materialien und -Strukturen
  • Kristalline Defekte in Siliziumkarbid- (SiC) Substraten und Epitaxialschichten
  • Kristalline Defekte in Galliumnitrid- (GaN) Wafern und Epitaxialschichten
  • Oberflächen- und Untergrunddefekte bei dicken Wafern und Seed-Wafern
  • Defektkartierung von Substrat zu Epitaxieschicht (Sub-Defekt-Mapping)
  • Waferbasierte microLED-, VCSEL- und EE-Laser-Materialien
  • Stresskartierung über den gesamten Wafer sowie punktuelle Spannungsmessung
  • Wafer-Chuck-Kontamination
  • Haze-Erkennung und Metrologie
  • Metrologie für gewölbte / verzogene Wafer
  • Inspektion dünner Wafer (inkl. Film Frame Handling)



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