Product Type:
Equipment
Application:
Trockenprozesse & UHP
Product Description:
Das C3100 CO2 Filmframe Wafer Reinigungssystem von IMT wurde entwickelt, um eine automatische, präzise und effiziente Reinigung von Filmframe-Wafern zu gewährleisten und so eine optimale Leistung in der Halbleiterfertigung sicherzustellen. Mit zwei Reinigungskammern erhöht das System den Durchsatz und die Effizienz und ermöglicht einen kontinuierlichen Betrieb. Durch den Einsatz modernster CO2-Reinigungstechnologie entfernt es effektiv eine Vielzahl von Verunreinigungen von den Wafer-Oberflächen, ohne Schäden zu verursachen.
Hauptmerkmale:
- Präzisionsreinigung: Das C3100 entfernt gezielt Partikel und Rückstände von empfindlichen Filmframe-Wafern und bewahrt so die Oberflächenintegrität und verbessert die Waferqualität.
- Automatisierter Process: Mit seinem automatischen Be- und Entladesystem steigert das C3100 die Produktivität, minimiert manuelle Eingriffe und senkt die Betriebskosten.
- Hohe Effizienz: Das System bietet einen schnellen, gründlichen Reinigungsprozess, der einen hohen Durchsatz gewährleistet und somit ideal für Halbleiterproduktionsumgebungen ist.
- Benutzerfreundliches Interface: Mit seinem intuitiven Steuerungssystem ist das C3100 einfach zu bedienen und ermöglicht eine effiziente Integration in bestehende Arbeitsabläufe mit minimalem Schulungsaufwand.
Das C3100 Filmframe Wafer Reinigungssystem ist die perfekte Wahl für Hersteller, die die Reinigungspräzision und -effizienz in ihren Halbleiterprozessen verbessern wollen.
CO₂ Reinigungstechnologie
CO₂ Reinigungsmechanismus
- Physikalisches Strahlen
Trockeneispartikel werden durch Druckluft beschleunigt und prallen auf die Oberfläche. - Thermoschock
Die Sublimationswärme von -78,5 °C lässt Verunreinigungen schrumpfen und Risse entstehen. - Sublimationsausdehnung
Das Volumen erweitert sich um das 800-Fache und durchbricht die Grenzschicht. - Ablation
Der Luftdruck der hochgeschwindigkeitskomprimierten Luft entfernt Verunreinigungen.
Vorteile der CO₂-Reinigung
- Frei von Chemikalien und Wasser
- Kein zusätzlicher Trocknungsprozess erforderlich
- Minimale Sekundärabfälle nach der Reinigung
- Keine Oberflächenbeschädigungen
- Einfach zu automatisieren
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Anwendungen in der Halbleiter- und MEMS-Fertigung:
- TSV (Through-Silicon Via)
- Entfernung von Partikeln auf MEMS-Wafern
- Reinigung von unbeschichteten Wafern mit Epoxidharz
- Entfernung von PR-Rückständen (Photoresist) oder organischen Verunreinigungen und Rückständen
- Reinigung von Bump-Wafern und Entfernung von Bondrückständen
- Reinigung von Glasträgern
- Reinigung der Wafer-Rückseite
- Entfernung von Verunreinigungen an den Waferkanten
- Reinigung von gerahmten Wafern nach dem Sägen