By APPLIED QUANTUM MATERIALS INC.
Supplier Info
Product Type:
Equipment
Application:
Chemikalien & Fotolacke
Product Description:
H-SiOx ist ein hochwertiges, elektroniktaugliches Harz auf Basis von Silsesquioxan mit einem Kern aus Silizium und Sauerstoff. Diese fortschrittliche Polymer-/Harzklasse dient als äußerst effizienter negativer Resist für die Foto- und Elektronenstrahllithografie, speziell entwickelt für die Herstellung von Nanolithografie-Bauelementen.
Dank eines optimierten Molekulargewichts lässt sich H-SiOx leicht in homogene Lösungen mit gängigen organischen Lösungsmitteln wie Toluol, n-Butylacetat und Methylisobutylketon lösen – ideal für die Herstellung von Dünnschichten. Abhängig von der Schichtdicke ermöglicht es die Erzeugung dichter Strukturen mit Auflösungen unter 10 nm (Halb-Pitch).
Hochwertige Verpackung, strenge Qualitätskontrollen und sachgerechte Lagerung gewährleisten eine lange Haltbarkeit und bewahren dabei die hervorragende Kontrastleistung von H-SiOx über einen langen Zeitraum.
Die Leistungsfähigkeit von auf Wasserstoffsilsesquioxan basierenden Polymeren (H-SiOx) als spin-on negativer Resist für die Halbleiterlithografie bleibt von keinem anderen Material unerreicht.
HSQ bietet:
- Ultrahohe Auflösung: Als anorganischer Resist erreicht HSQ etablierte Auflösungen unter 10 nm, wobei die Grenzen allein durch die Größe des Elektronenstrahl-Fokus bestimmt werden. Diese Eigenschaft verdankt sich der geringen Molekülgröße des 3D-Netzwerks, das Polymeraggregate und -verflechtungen minimiert – und somit Schwankungen der Linienbreite reduziert.
- Außergewöhnliche Gleichmäßigkeit: Sorgt für eine konsistente und zuverlässige Strukturierung über den gesamten Substratbereich.
- Hervorragende Ätz- und Ionenstrahlresistenz: Nach der Belichtung mit Elektronenstrahlen oder EUV-Strahlung wandelt sich HSQ im Wesentlichen in Glas um und bietet dadurch eine deutlich höhere Beständigkeit gegenüber Ionenstrahlbearbeitung und Ätzprozessen im Vergleich zu herkömmlichen Polymerresists.
- Exzellente mechanische Stabilität: Hochauflösende Strukturen mit extremen Aspektverhältnissen von >20:1 können präzise definiert werden.
Darüber hinaus konzentriert sich AQM auf die Synthese und Anwendung von Silizium-Quantenpunkten (SiQDs) und anderen Nanomaterialien in verschiedenen Bereichen wie Lithografie, Lebenswissenschaften, Quantenphotonik, Sensorik und Energie.
Lithografie-Eigenschaften:
- Dünne, gleichmäßige Schichten (Schichtdicken von 5 nm bis 2 µm)
- Hohe Auflösung (fähig zu Strukturen ≤10 nm)
- Hervorragende Kantenglätte (Line Edge Roughness)
- Gute Beständigkeit gegenüber Trockenätzprozessen
There are currently no videos available.
H-SiOx ist ein vielseitig einsetzbarer Resist, der eine breite Strukturvielfalt abdeckt – von unter 7 nm für NEMS bis hin zu 2,2 µm für MEMS – und eignet sich für Anwendungen wie:
- Lithografie
- Fotolack für die Maskenherstellung
- Ätzmaske, z. B. für Si, SiO₂, Si₃N₄ oder Metalle
- Siliziumbasierte Photonik – Wellenleiterkomponenten, Gitterkoppler und photonische Kristalle
- Herstellung von Stempeln mit Nanostrukturen